Invitée: le LOCIE accueille Geetanjali Chattopadhyay

Publié le jeu 14 Déc 2023

Dr Geetanjali Chattopadhyay est chercheuse invitée au LOCIE de septembre 2023 à mars 2024 dans le cadre de la bourse SERB International Research Experience (SIRE) du gouvernement indien.

Dr. Geetanjali Chattopadhyay is visiting LOCIE from September 18, 2023 to March 14, 2024 under the SERB International Research Experience (SIRE) fellowship from SERB, DST, Government of India.

Geetanjali Chattopadhyay travaille au département de mathématiques de l’Institut national de technologie Malaviya de Jaipur (MNIT Jaipur), en Inde. Elle est maîtresse de conférences en mathématiques et enseigne divers cours de mathématiques pures et appliquées pour les programmes de premier et de deuxième cycle. Elle est titulaire d’un doctorat du département de mathématiques de l’Indian Institute of Technology Madras. Ses recherches portent sur l’analyse de la stabilité linéaire et faiblement non linéaire, l’écoulement bicouche dans un canal/tuyau, l’écoulement immiscible et miscible, l’écoulement sur un milieu poreux anisotrope/isotrope, l’écoulement d’un film mince sur un substrat chauffé uniformément ou localement, l’écoulement à surface libre sur une topographie.

Dr. Geetanjali Chattopadhyay works at the Department of Mathematics, Malaviya National Institute of Technology Jaipur, India. She is an assistant professor in Mathematics and teaches various pure and applied Mathematics courses for under graduate and post graduate programs at MNIT Jaipur. She is awarded Ph.D. degree from department of Mathematics, Indian Institute of Technology Madras. Her research interests include linear and weakly nonlinear stability analysis, two-layer flow in a channel/pipe, immiscible and miscible flow, flow over an anisotropic/isotropic porous medium, thin film flow down a uniformly or locally heated substrate, free surface flow over topography.

Geetanjali Chattopadhyay séjourne au LOCIE pour effectuer des recherches théoriques et numériques en collaboration avec Pr Christian Ruyer-Quil sur l’instabilité interfaciale dans les écoulements de films minces, résultant des ondulations du substrat. L’étude vise à développer un modèle d’écoulement de film tombant sur une topographie, basé sur la méthode des résidus pondérés (WRM), qui rendra compte de l’apparition de plaque sèches dans des conditions de mouillage partiel. L’apparition de plaques sèches est une limitation évidente de l’efficacité des échangeurs de chaleur impliquant des films tombants. En outre, les hétérogénéités chimiques ou la rugosité de la surface génèrent une hystérésis de l’angle de contact et donc des forces d’adhésion qui peuvent empêcher les petites gouttelettes de s’écouler et donc affecter la fraction de la paroi couverte par le film liquide. Les formulations en 1D et 2D seront résolues sur une grille cartésienne avec des conditions aux limites périodiques. La partie conservative des équations sera traitée à l’aide de la méthode des volumes finis, tandis que les termes de diffusion généralisée de la tension de surface seront traités par différences finies.

Dr. Geetanjali Chattopadhyay is at LOCIE to carry out theoretical and numerical research work on the interfacial instability in thin film flows, resulting from the substrate undulations. The study aims to develop a model for falling film flow over topography based on the weighted residual method (WRM) which will account for the onset of dry patches in partial wetting conditions. The onset of dry patches is a clear limitation to the efficiency of heat exchangers involving falling films on plates. In addition, chemical heterogeneities, or surface roughness generates contact angle hysteresis and thus adhesion forces that may prevent small droplets from flowing and thus affect the fraction of the wall covered by the liquid film. Formulations in 1D and 2D will be solved on a Cartesian grid with periodic boundary conditions. The conservative part of the equations will be treated using the finite volume method, whereas surface tension generalized diffusion terms will be treated by finite differences.